Cu-Diamond
半导体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等
銅とダイヤモンドの複合材料です。GaAsやGaNの化合物半导体材料に近い熱膨張係数でありながらCu以上の熱伝導率を有しています。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
| 材质 | 名称 | 特长 | 平均线膨张係数 搁.罢.～400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.［Ｗ/(ｍ?碍)］ |
|---|---|---|---|---|
| Cu-Diamond | DC60 | 熱膨張率を化合物半导体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導ヒートシンクです。 | 6.0 | 550 |
| DC70 | 6.5 | 500 |
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