颁痴顿ダイヤモンド
半导体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等
CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって得られるバインダーを含まない多結晶ダイヤモンドです。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
| 材质 | 特长 | 平均线膨张係数 搁.罢.～100℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.［Ｗ/(ｍ?碍)］ |
|---|---|---|---|
| 颁痴顿ダイヤモンド | CVD(Chemical Vapor Deposition)法による、厚み0.1～0.4mmのダイヤモンドのヒートシンクです。 | 2.3 | ＞1000 |
さらに详しく！
颁痴顿ダイヤモンドについては、以下Webサイトにて詳しくご紹介しております。
